[发明专利]晶体管、栅极结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910582914.6 | 申请日： | 2019-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110289310A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 邹冠;林科闯;刘胜厚;孙希国;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 邓超 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶体管、栅极结构及其制备方法，栅极结构包括一晶圆；一第一钝化层；一对准标记层，设置有栅槽蚀刻终点检测的窗口；一第二钝化层；一植入隔离层，设置于所述晶圆之上并定义出主动区；一栅极沟槽层，一部分设置于所述主动区之内，另一部分设置有栅槽蚀刻终点检测的窗口并位于主动区之外；一栅极金属层，设置于所述栅极沟槽层之上。栅极结构的制备方法包括获取一晶圆，在其上沉积生成第一钝化层；在第一钝化层一侧面之特定位置制备对准标记层；在第一钝化层上沉积生成第二钝化层；在第二钝化层定义主动区；在主动区内制备源极和漏极；在主动区内制备栅极沟槽层和栅极金属层。解决现有技术中，蚀刻工艺造成器件性能降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 制备 栅极结构 主动区 栅极沟槽 晶圆 蚀刻终点检测 栅极金属层 晶体管 栅槽 沉积 制备对准标记 对准标记 器件性能 蚀刻工艺 隔离层 漏极 源极 植入 分设 侧面 申请 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括：一晶圆；一第一钝化层，设置于所述晶圆之上；一对准标记层，设置于所述第一钝化层之一侧面，同时对准标记层设置有栅槽蚀刻终点检测的窗口；一第二钝化层，设置于所述第一钝化层之上；一植入隔离层，设置于所述晶圆之上并定义出主动区；一栅极沟槽层，一部分设置于所述主动区之内，另一部分设置有栅槽蚀刻终点检测的窗口并位于主动区之外；一栅极金属层，设置于所述栅极沟槽层之上。
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