[发明专利]一种基于手性金属吸收的热电子的光电探测器有效
| 申请号： | 201910583079.8 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110289325B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京博业工程技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/11 |
| 代理公司： | 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 | 代理人： | 黄锦阳 |
| 地址： | 100020 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及一种基于手性金属吸收的热电子光电探测器，该光电探测为多层结构，由下而上依次为衬底层、下金属层、中间半导体层、上金属层；其中下金属层和上金属层通过导线连接。本发明的基于手性金属吸收的热电子光电探测器，利用左手性孔结构和右手性孔结构引起的不同的肖特基势垒，从而造成的不对称吸收来增强上下金属层的净吸收率，最终来增强探测器对入射光的吸收，方便入射光的检测。此外通过在上金属层右手性孔结构里填充二氧化钒，改变探测器所处环境温度，可实现对探测波长的调控。结构简单，易于制备，具有很好的应用前景，为探测器的研究提供了一种新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 手性 金属 吸收 电子 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于手性金属吸收的热电子光电探测器，其特征在于：所述光电探测为多层结构，由下而上依次为衬底层（1）、下金属层（2）、中间半导体层（3）、上金属层（4）；其中下金属层（2）和上金属层（4）通过导线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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