[发明专利]一种高分散性磁性纳米片合成的方法在审
| 申请号： | 201910583389.X | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110223814A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 何乐;全跃龙;邵一帅 | 申请（专利权）人： | 苏州善恩纳米功能材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/01 | 分类号： | H01F1/01;H01F41/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高分散性磁性纳米片合成的方法。其包括如下步骤：1)制备Ni(OH)2片颗粒；2)将1)中制备的Ni(OH)2进行PVP修饰与包覆二氧化硅；3)将2)中的分散液放入热水蚀刻形成多孔二氧化硅后收集并干燥。4)在H2氛围中300℃还原该颗粒之后并重新分散在水中得到高分散性磁性纳米片材料。该颗粒胶体分散性好，而且多孔二氧化硅大大提高了壳的渗透率。本发明的优点在于：节约能源、高分散性、材料多孔、应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 高分散性 磁性纳米 多孔二氧化硅 制备 合成 蚀刻 二氧化硅 分散性好 颗粒胶体 分散液 片材料 渗透率 包覆 放入 水中 修饰 还原 节约 能源 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高分散性磁性纳米片合成的方法，其特征在于：由多孔二氧化硅包覆的磁性片制成。
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