[发明专利]一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构有效
申请号: | 201910583731.6 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110411615B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 董林玺;刘沙沙 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 周希良 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构。本发明包括电容感应单元、支撑梁、压阻感应单元和后空腔,所述的电容感应单元由上下两片嵌入金属的可变形电极膜组成,其中位于上部的可变形电极膜的下方还设置有内凸起;所述支撑梁一端连接在电容感应单元的下部的可变形电极膜,另一端连接压阻感应单元,由此连通两种感应单元;所述的压阻感应单元由四对双层压阻梁组成,所述后空腔由硅衬底蚀刻凹坑形成,用于给压阻感应单元形变的空间。本发明通过改变感应单元结构后,在同样的负载下,响应变化更明显,传感器更灵敏,并且依然实现了两种感测单元的集成,扩大了传感器的感测范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 mems 触觉 传感器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构,包括电容感应单元、支撑梁、压阻感应单元和后空腔,其特征在于:所述的电容感应单元由上下两片嵌入金属的可变形电极膜组成,用于检测较小的负载,在所述电容感应单元左右两端设计开口沟槽,用于降低电容结构的刚度;其中位于上部的可变形电极膜的下方还设置有内凸起;所述支撑梁一端连接在电容感应单元的下部的可变形电极膜,另一端连接压阻感应单元,由此连通两种感应单元;所述的压阻感应单元由四对双层压阻梁组成,当电容负载饱和时,力通过支撑梁传递给压阻感应单元,用于检测较大的负载;所述后空腔由硅衬底蚀刻凹坑形成,用于给压阻感应单元形变的空间。
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