[发明专利]一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构有效

专利信息
申请号: 201910583731.6 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110411615B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 董林玺;刘沙沙 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构。本发明包括电容感应单元、支撑梁、压阻感应单元和后空腔,所述的电容感应单元由上下两片嵌入金属的可变形电极膜组成,其中位于上部的可变形电极膜的下方还设置有内凸起;所述支撑梁一端连接在电容感应单元的下部的可变形电极膜,另一端连接压阻感应单元,由此连通两种感应单元;所述的压阻感应单元由四对双层压阻梁组成,所述后空腔由硅衬底蚀刻凹坑形成,用于给压阻感应单元形变的空间。本发明通过改变感应单元结构后,在同样的负载下,响应变化更明显,传感器更灵敏,并且依然实现了两种感测单元的集成,扩大了传感器的感测范围。
搜索关键词: 一种 灵敏度 mems 触觉 传感器 结构
【主权项】:
1.一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构,包括电容感应单元、支撑梁、压阻感应单元和后空腔,其特征在于:所述的电容感应单元由上下两片嵌入金属的可变形电极膜组成,用于检测较小的负载,在所述电容感应单元左右两端设计开口沟槽,用于降低电容结构的刚度;其中位于上部的可变形电极膜的下方还设置有内凸起;所述支撑梁一端连接在电容感应单元的下部的可变形电极膜,另一端连接压阻感应单元,由此连通两种感应单元;所述的压阻感应单元由四对双层压阻梁组成,当电容负载饱和时,力通过支撑梁传递给压阻感应单元,用于检测较大的负载;所述后空腔由硅衬底蚀刻凹坑形成,用于给压阻感应单元形变的空间。
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