[发明专利]受光元件和测距模块在审
| 申请号： | 201910584603.3 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110739323A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374;G01S7/481 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 受光元件包括片上透镜、配线层和布置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域。例如，本技术可应用于在ToF方法中生成距离信息的受光元件等。 | ||
| 搜索关键词： | 电压施加单元 半导体层 片上透镜 受光元件 配线层 周边处 施加 电荷检测单元 有效像素区域 电荷检测 距离信息 排出区域 电荷 应用 | ||
【主权项】：
1.一种受光元件，其包括：/n片上透镜；/n配线层；和/n半导体层，其布置在所述片上透镜和所述配线层之间，/n其中，所述半导体层包括：/n第一电压施加单元，其被施加第一电压，/n第二电压施加单元，其被施加与所述第一电压不同的第二电压，/n第一电荷检测单元，其布置在所述第一电压施加单元的周边处，/n第二电荷检测单元，其布置在所述第二电压施加单元的周边处，和/n电荷排出区域，其设置在有效像素区域的外侧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
