[发明专利]蚀刻工艺中精确控制膜层厚度的方法和设备在审
| 申请号： | 201910584723.3 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110289212A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该发明涉及一种蚀刻工艺中精确控制膜层厚度的方法和设备，其中所述蚀刻工艺中精确控制膜层厚度的方法包括以下步骤：量测待蚀刻的晶圆的膜层厚度；将所述晶圆放入蚀刻溶液；实时检测蚀刻溶液比重，并根据蚀刻溶液的实时比重确定蚀刻时长，以达到对膜层的蚀刻厚度要求。本发明的蚀刻工艺中精确控制膜层厚度的方法和设备通过实时检测溶液的比重，来确定具体的蚀刻时长，实时对工艺时间进行修正，从而达到对蚀刻量的精准控制，防止对多批晶圆进行蚀刻时，不同批次间的晶圆蚀刻后具有较大的膜层厚度差异，提升制程能力。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 控制膜层 蚀刻工艺 晶圆 方法和设备 蚀刻溶液 实时检测 膜层 时长 厚度差异 厚度要求 精准控制 对膜层 蚀刻量 放入 量测 制程 修正 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻工艺中精确控制膜层厚度的方法，包括：量测待蚀刻的晶圆的膜层厚度；将所述晶圆放入蚀刻溶液；实时检测蚀刻溶液比重，并根据蚀刻溶液的实时比重确定蚀刻时长，以达到对膜层的蚀刻厚度要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
