[发明专利]一种Ti(C,N)/AlN复合粉体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910585015.1 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110282982B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 余超;艾俊迪;邓承继;丁军;祝洪喜 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/628
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种Ti(C,N)/AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是:将Ti2AlC3粉体装入石墨坩埚内,再将所述石墨坩埚置入气氛炉中,在氮气气氛条件下升温至900~1600℃,保温0.5~3h,冷却至室温,制得Ti(C,N)/AlN复合粉体。所述Ti(C,N)/AlN复合粉体中的Ti(C,N)颗粒表面覆盖有AlN晶须;所述AlN晶须直径为0.010~2μm,长度为1~10μm;所述Ti(C,N)颗粒的粒径为10~80μm。所述Ti2AlC3粉体的纯度≥98.0wt%,Ti2AlC3粉体的粒径为10~100μm。本发明具有工艺简单和生产成本低的特点,所制备的Ti(C,N)/AlN复合粉体中的Ti(C,N)颗粒与AlN晶须结合性好、物相纯度高、AlN分布均匀和综合性能优异,有利于推广应用。
搜索关键词: 一种 ti aln 复合 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ti(C,N)/AlN复合粉体的制备方法,其特征在于所述制备方法是:将Ti2AlC3粉体装入石墨坩埚内,再将所述石墨坩埚置入气氛炉中,在氮气气氛条件下升温至900~1600℃,保温0.5~3h,冷却至室温,制得Ti(C,N)/AlN复合粉体。
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