[发明专利]抽样缺陷检测方法、装置、设备和系统有效
| 申请号： | 201910585181.1 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112185830B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 侯杰元;杨林;黄盛境 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 高彦 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种抽样缺陷检测方法、装置、设备和系统，通过获取一时间段内工艺站点内多个机台所处理的晶圆组的跑货信息、及所述工艺站点的抽样缺陷检测规则；依据所述跑货信息与所述抽样缺陷检测规则，判断各所述机台所处理的所述晶圆组中未被抽样进行缺陷检测的间隔数量是否超过预设间隔值；若是，则升级被抽样进行缺陷检测的所述晶圆组的等级以优先进行缺陷检测；若否，则按正常工艺流程进行。本申请能够平衡工艺站点内各机台所跑过晶圆组被抽检的间隔时间，提高风险的及时控制。 | ||
| 搜索关键词： | 抽样 缺陷 检测 方法 装置 设备 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润微电子（重庆）有限公司，未经华润微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910585181.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种定量评价超临界状态下CO
- 下一篇：一种导电添加剂及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
