[发明专利]通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法在审
| 申请号： | 201910585357.3 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110670047A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | T·J·V·布兰夸尔特 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/515;C23C16/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 乐洪咏;朱黎明 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开涉及通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法。本公开提供了一种在衬底的表面上填充图案化凹部的方法，包括：在反应空间中提供包括凹部的衬底；向所述反应空间提供无硅含碳前体，从而用气相前体填充所述凹部；以及向所述反应空间提供等离子体，从而在所述凹部中形成粘性材料，其中所述粘性材料在所述凹部中流动且在所述凹部的底部积聚，从而在所述凹部的所述底部形成沉积材料，且其中所述沉积材料凝固。通过使用烃前体的等离子体辅助沉积提供完全间隙填充，在不需要氮、氧或氢等离子体的条件下基本上不形成空隙，解决了现有技术中的一个或多个问题。 | ||
| 搜索关键词： | 凹部 反应空间 沉积材料 粘性材料 衬底 填充 等离子体辅助沉积 等离子体 脉冲等离子体 间隙填充层 氢等离子体 辅助沉积 含碳前体 间隙填充 气相前体 烃前体 图案化 碳膜 沉积 积聚 凝固 流动 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底的表面上填充图案化凹部的方法，所述方法包括以下步骤：/n在反应空间中提供包括凹部的衬底；/n向所述反应空间提供无硅含碳前体，从而用气相前体填充所述凹部；以及/n向所述反应空间提供等离子体，从而在所述凹部中形成粘性材料，/n其中所述粘性材料在所述凹部中流动且在所述凹部的底部积聚，从而在所述凹部的所述底部形成沉积材料，且/n其中所述沉积材料凝固。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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