[发明专利]一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法有效
| 申请号： | 201910585566.8 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110303165B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;杨韵斐;刘伟;王亦曼;周帆;吴浩;李世磊;张小可;周文元 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B22F9/16 | 分类号： | B22F9/16;B22F3/11;B22F3/26;B22F3/24;B22F7/00;H01J9/04;H01J19/066 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浸渍 氧化 掺杂 多相 混合 扩散 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极，其特征在于，钨与铼形成多种不同比例的合金相，铼元素在基体中的质量含量占比为0.5％‑99％，氧化钪的质量占比为0.05％‑15％，钨元素质量占比为0.45‑99％；浸渍物质为活性盐，活性盐质量占比为0.1％‑25％。
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