[发明专利]低氧化物沟槽凹陷化学机械抛光在审

专利信息
申请号: 201910585882.5 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110655868A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥内尔 申请(专利权)人: 弗萨姆材料美国有限责任公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/304
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 吴亦华;徐志明
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统以减少氧化物沟槽凹陷并改善过抛光窗口稳定性。还提供了高且可调的氧化硅去除速率、低的氮化硅去除速率和可调的SiO
搜索关键词: 氧化物沟槽 可调的 凹陷 去除 化学机械平面化 麦芽 磨料 二氧化硅颗粒 化学添加剂 减少添加剂 抛光组合物 独特组合 二氧化铈 麦芽糖醇 氮化硅 过抛光 乳糖醇 速率和 氧化硅 三醇 涂覆
【主权项】:
1.一种化学机械抛光(CMP)组合物,所述组合物包含:/n磨料颗粒,其选自/n二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒,其选自二氧化铈涂覆的胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的高纯度胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的氧化铝、二氧化铈涂覆的二氧化钛、二氧化铈涂覆的氧化锆颗粒及其组合;/n二氧化铈涂覆的有机聚合物颗粒,其选自二氧化铈涂覆的聚苯乙烯颗粒、二氧化铈涂覆的聚氨酯颗粒、二氧化铈涂覆的聚丙烯酸酯颗粒及其组合;和/n其组合;/n化学添加剂;/n溶剂,其选自去离子(DI)水、蒸馏水和醇类有机溶剂;和/n任选地/n杀生物剂;和/npH调节剂;/n其中/n所述组合物的pH为2至12;和/n所述化学添加剂在其分子结构中具有至少四个羟基官能团,如(a)所示,/n
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