[发明专利]低氧化物沟槽凹陷化学机械抛光在审
申请号: | 201910585893.3 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110655870A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥内尔 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/3105;H01L21/67 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统以减少氧化物沟槽凹陷并改善过抛光窗口稳定性。还提供了高且可调的氧化硅去除速率、低的氮化硅去除速率和可调的SiO | ||
搜索关键词: | 阿拉伯糖 氧化物沟槽 甘露糖 可调的 凹陷 去除 化学机械平面化 麦芽 乳糖 脱水山梨糖醇 葡萄糖 化学添加剂 减少添加剂 抛光组合物 赤藓糖醇 麦芽糖醇 山梨糖醇 氮化硅 甘露醇 过抛光 核糖醇 内消旋 乳糖醇 速率和 卫矛醇 氧化硅 蔗糖 果糖 核糖 肌醇 三醇 糖醇 | ||
【主权项】:
1.一种化学机械抛光(CMP)组合物,所述组合物包含:/n磨料颗粒,其选自无机氧化物颗粒、金属涂覆的无机氧化物颗粒、有机聚合物颗粒、金属氧化物涂覆的有机聚合物颗粒及其组合;/n化学添加剂;/n溶剂,其选自去离子(DI)水、蒸馏水和醇类有机溶剂;和/n任选地/n杀生物剂;和/npH调节剂;/n其中/n所述组合物的pH为2至12;/n所述无机氧化物颗粒选自二氧化铈、胶体二氧化硅、高纯度胶体二氧化硅、胶体二氧化铈、氧化铝、二氧化钛、氧化锆颗粒及其组合;/n所述金属涂覆的无机氧化物颗粒选自二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒,其选自二氧化铈涂覆的胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的高纯度胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的氧化铝、二氧化铈涂覆的二氧化钛、二氧化铈涂覆的氧化锆颗粒及其组合;/n所述有机聚合物颗粒选自聚苯乙烯颗粒、聚氨酯颗粒、聚丙烯酸酯颗粒及其组合;/n所述金属涂覆的有机聚合物颗粒选自二氧化铈涂覆的有机聚合物颗粒、氧化锆涂覆的有机聚合物颗粒、二氧化硅涂覆的有机聚合物颗粒、及其组合;和/n所述化学添加剂选自/n(A)分子结构(a):/n
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