[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及制备方法有效
申请号: | 201910587024.4 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110229002B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 窦占明;张二甜;应建;陈群星;叶萍;杜玉龙;班秀峰;张秀;王学杰;褚涛 | 申请(专利权)人: | 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司;中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/46;C04B35/64 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 覃蛟 |
地址: | 550000 贵州省贵阳市贵阳国家高*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及制备方法,涉及低温共烧陶瓷材料领域。包括以下质量分数的原料:97.4%-99.2%的氧化锌-二氧化钛,0%-1%的钙硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化铜和0.05%-2%的五氧化二钒。将上述组分经过称量、混合球磨、预烧、粉碎工序制备LTCC材料,后通过LTCC加工平台制备微波器件进行介电性能及烧结匹配性验证。本发明制备得到的低温共烧陶瓷材料与金银等导体浆料匹配共烧效果良好,同时介电常数高,可降低器件产品尺寸,实现电路的小型化、集成化。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括以下质量分数的原料:97.4%-99.2%的氧化锌-二氧化钛,0%-1%的钙硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化铜和0.05%-2%的五氧化二钒。
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