[发明专利]一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910588142.7 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110350028B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂氧化镓薄膜结构，其特征在于，包括氮化镓薄膜及位于氮化镓薄膜上的p型氮掺杂氧化镓薄膜；所述p型氮掺杂氧化镓薄膜的载流子浓度为1×109～1×1017/cm3。
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