[发明专利]多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法

摘要

本发明公开了多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法，MOSFET结构，包括基片和外延层，且外延层上淀积有重掺杂多晶硅层形成源区，外延层内设有沟槽，沟槽内部和侧壁上淀积有栅氧化物层，且外延层内部的栅氧化层的厚度小于源区内的栅氧化物层的厚度。本发明的优点是：比传统MOSFET整个工艺流程更为简单，通过淀积多晶硅形成的源区宽度更易控制，增强了的源区的可靠性，且不会影响沟道长度。

主权项

1.多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制作外延圆片，该外延圆片由低电阻率的N型基片和特定电阻率的N型外延层组成；在外延层表面注入P型杂质，并进行退火，形成沟道区；在外延层表面淀积一层重掺杂多晶硅，厚度为2～4um，退火，形成源区；在多晶硅表面生长一层掩蔽层；在掩蔽层上淀积一层光刻胶，进行沟槽光刻，刻蚀掉所需刻蚀沟槽处的掩蔽层，形成刻蚀窗口；去除表面多余光刻胶，在掩蔽层的作用下进行沟槽刻蚀；生长一层待牺牲氧化层再去除；去除牺牲氧化层后，再在沟槽表面以及多晶硅表面生长一层氧化层，形成栅氧；淀积N型重掺杂的多晶硅，将沟槽填充满，降低电阻率；刻蚀掉多余的多晶硅，保证沟槽内多晶硅表面与源区多晶硅持平，保证器件沟道能形成，并在表面淀积一层介质层；进行接触孔开口光刻。；去除多余光刻胶，进行接触孔刻蚀；接触孔注入；接触孔金属填充,淀积一层接触孔金属并刻蚀表面多余金属。