[发明专利]一种功率芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及电子芯片技术领域，公开一种功率芯片及其制备方法。在衬底的一侧表面形成沟道层和势垒层，通过隔离工艺形成一个SBD有源区和一个HEMT有源区；在势垒层上形成芯片器件层，芯片器件层包括SBD阳极、SBD阴极、HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极、第一金属层、阳极焊盘和阴极焊盘，SBD阴极与HEMT源极通过第一金属层电连接，SBD阳极和HEMT栅极与阳极焊盘电连接，HEMT漏极与阴极焊盘电连接；在芯片器件层上形成表面钝化介质层，并通过构图工艺在表面钝化介质层上形成过孔以露出阳极焊盘和阴极焊盘。本申请实施例可同时实现低开启电压和高反向耐压，降低封装难度，减小芯片寄生效应，提高电路工作效率。

主权项

1.一种功率芯片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧表面依次形成沟道层和势垒层，并通过隔离工艺在所述势垒层和沟道层之上形成一个肖特基势垒二极管SBD有源区和一个高电子迁移率晶体管HEMT有源区；在所述势垒层上形成芯片器件层，芯片器件层包括SBD阳极、SBD阴极、HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极、第一金属层、阳极焊盘和阴极焊盘，其中，所述SBD阳极、SBD阴极位于SBD有源区，所述HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极位于HEMT有源区，其中，所述SBD阴极与HEMT源极通过第一金属层电连接，所述SBD阳极和HEMT栅极与阳极焊盘电连接，所述HEMT漏极与阴极焊盘电连接；在所述芯片器件层上形成表面钝化介质层，并通过构图工艺在所述表面钝化介质层上形成过孔以露出所述阳极焊盘和阴极焊盘。