[发明专利]一种光电探测器有效
| 申请号： | 201910590027.3 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110289334B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王志明;杜文;巫江;余鹏;李彩虹;刘和桩;邹吉华;徐浩;马翠苹 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种光电探测器，包括吸收器，所述吸收器由下到上依次包括衬底层、反射层和吸收层，其中，所述吸收层为过渡金属硫化物薄膜；所述吸收层上设置电极层；这样，通过在所述衬底层上依次设置所述反射层、所述吸收层和所述电极层，并利用将所述吸收器的吸收层材料为过渡金属硫化物，使吸收器可以工作在可见波段，且通过过渡金属硫化物的复折射率的实部和虚部较为接近，可以形成高损耗薄膜，使得入射光被吸收后在薄膜内传播，并逐渐损耗。因此使得所述反射层上吸收层的超薄膜结构可以通过与谐振腔的临界耦合达到近完美吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器，其特征在于，包括吸收器，所述吸收器由下到上依次包括衬底层(11)、反射层(12)和吸收层(13)，其中，所述吸收层(13)为过渡金属硫化物薄膜；所述吸收层(13)上设置电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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