[发明专利]一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法和电池在审
| 申请号： | 201910590056.X | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110491949A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林纲正;赵亮;方结彬 | 申请（专利权）人： | 商先创国际股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 德国布*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池叠层钝化结构，其包括：硅片，依次设于硅片背面的氧化铝层、混合钝化层和钝化层；其中，所述氧化铝层通过PECVD法形成；所述混合钝化层通过电离含氢材料得到的等离子体轰击所述氧化铝层形成。本发明还公开了一种叠层钝化太阳能电池，其包括上述太阳能电池叠层钝化结构。实施本发明，能够有效去除硅片背面悬挂键和降低表面态，提升太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 氧化铝层 钝化层 叠层 钝化结构 硅片 钝化太阳能电池 等离子体轰击 硅片背面 含氢材料 电离 表面态 悬挂键 去除 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，包括：/n硅片，包括用于收集入射光的正面和与该正面相对的背面；/n氧化铝层，设于所述硅片背面；/n混合钝化层，设于所述氧化铝层的上方；/n钝化层，设于所述混合钝化层的上方；/n其中，所述氧化铝层通过PECVD法沉积；所述混合钝化层通过电离含氢材料和含氧材料得到的等离子体轰击所述氧化铝层形成；/n所述氧化铝层、混合钝化层和钝化层在同一设备的同一腔体内形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
