[发明专利]KDP类晶体锥面快速生长方法有效
| 申请号： | 201910590535.1 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110344114B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;陈端阳;邵建达;王斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/08 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | KDP类晶体锥面快速生长方法，所述的生长溶液中的片状籽晶柱区受到左方筒和右方筒侧壁的限制，因而柱区的生长受到抑制，只有左右两个方向的锥区能够生长。由于用这种方法生长的KDP类晶体的都是锥区，晶体内部不含柱锥交界面，并且在紫外光波段还能有比较高的透过率。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 锥面 快速 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种KDP类晶体锥面快速生长方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)制作晶体生长所用的生长槽(1)：所述的生长槽(1)上部安装电机(4)，该电机(4)的电机转轴(3)下端连接载晶架的旋转轴(5)；2)制作晶体生长所用的载晶架：所述的载晶架包括左方筒(10)、右方筒(6)和底部固定在左方筒(10)上表面或右方筒上表面的旋转轴(5)，在所述的左方筒(10)右侧设有凸起或凹陷，在所述的右方筒(6)左侧设有与左方筒(10)相配合的凹陷或凸起，使所述的左方筒(10)和右方筒(6)可拼接配合在一起；3)制作左右大面法线方向是[001]晶向的片状籽晶(9)；4)将所述的片状籽晶(9)四周垫上软硅胶垫片(8)，将片状籽晶(9)放置在所述的凹陷部分；5)将所述的左方筒(10)和右方筒(6)进行拼接，并通过沉头螺钉(7)固定连接；6)配制饱和点在45～85℃的KDP类晶体的生长溶液(2)；7)将安装有片状籽晶(9)的载晶架放入配制好的所述的生长溶液(2)中，将所述的旋转轴(5)连接在所述的电机转轴(3)上，启动电机(4)，使载晶架旋转；8)保持所述的生长溶液(2)的过饱和度在5～15％之间，使所述的片状籽晶(9)生长，得到不包含柱锥交界面的、全都是锥区的KDP类晶体。
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