[发明专利]一种磁控共溅射生长非共线反铁磁Mn3Pt薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910590656.6 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110218975A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 安宁;丘学鹏 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 周兵 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁控共溅射生长非共线反铁磁Mn3Pt薄膜的制备方法，该方法以(001)晶向的MgO基片为底片并且使用两靶共溅射生长，所述底片上还设置有Mn3Pt和覆盖层，所述Mn3Pt位于MgO和覆盖层之间；磁控生长，易于制备且薄膜纯度高；生长薄膜为单晶薄膜，厚度在纳米级别，有利于磁性以及自旋电子器件的制备与输运性质研究。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 生长 磁控共溅射 反铁磁 非共线 覆盖层 底片 自旋电子器件 单晶薄膜 纳米级别 输运性质 共溅射 磁控 晶向 研究 | ||
【主权项】：
1.一种磁控共溅射生长非共线反铁磁Mn3Pt薄膜的制备方法，该方法以(001)晶向的MgO基片为底片并且使用两靶共溅射生长，其特征在于：所述底片上还设置有Mn3Pt和覆盖层，所述Mn3Pt位于MgO和覆盖层之间；所述该方法的实施步骤为：S1：长样前基片清洗，用丙酮后酒精再离子水，其后分别超声；S2、高温生长，基片使用银胶粘贴后在室内常温放置后传入真空溅射腔，并对衬底预处理；S3、制作覆盖层。
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