[发明专利]一种无电沉积制备金纳米管阵列的方法及其在增强近红外量子剪裁发光中的应用

摘要

本发明涉及一种无电沉积制备金纳米管阵列的方法。金纳米管阵列镶嵌在AAO模板孔洞中，管外径约为110nm，管内径约为30‑50nm，管壁厚约为30~40nm；方法为先通过二次阳极氧化法制备大面积、孔径均匀的AAO模板；再利用无电沉积法在AAO模板孔隙中生长大面积、高度有序的金纳米管阵列，通过改变无电沉积的反应时间实现调控金纳米管的管壁厚度。相比于电沉积制备金纳米管阵列的方法，本发明具有一步合成、工艺简单、操作方便等优点，金纳米管阵列能够产生显著增强的局域电场，可实现对近红外量子剪裁发光的增强效应，在太阳能电池领域具有潜在应用。

主权项

1.一种无电沉积制备金纳米管阵列的方法，其特征在于：以氧化铝模板AAO和氯金酸HAuCl₄为原料，将AAO模板和HAuCl₄溶液置于高压反应釜中，通过无电沉积法在AAO模板孔隙中形成大面积、高度有序的金纳米管阵列，利用金纳米管阵列之间相互耦合产生的显著增强的局域电场，可实现对稀土离子近红外量子剪裁发光的增强效应。