[发明专利]NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器有效
申请号: | 201910590912.1 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110289038B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 冯一飞;蔡万方;王志刚 | 申请(专利权)人: | 珠海创飞芯科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C16/26;G11C7/06;G11C7/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王洋 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器,该连接方法应用于读出放大器。其中,读出放大器包括高压器件以及低压器件,且高压器件以及低压器件均包括栅极以及有源区。具体的,本方法将高压器件设置在读出放大器中的第一预设位置,将低压器件设置在读出放大器中与第一预设位置相邻的第二预设位置。然后设置位线为连续不断的第二金属走线,每条位线通过第一过孔与一个高压器件中栅极电相连,高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连,第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个低压器件的有源区电相连。即本发明将高压器件的有源区通过第一金属走线与低压器件相连,位线无需被切断,简化了生产工艺。 | ||
搜索关键词: | nand 闪存 读出 放大器 连接 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法,其特征在于,应用于读出放大器,所述读出放大器包括高压器件以及低压器件,所述高压器件以及所述低压器件均包括栅极以及有源区,所述有源区包括源极和漏极,所述方法包括:将所述高压器件设置在所述读出放大器中的第一预设位置,将所述低压器件设置在所述读出放大器中与所述第一预设位置相邻的第二预设位置;设置所述位线为连续不断的第二金属走线,每条所述位线通过第一过孔与一个所述高压器件中栅极电相连,所述高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连,所述第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个所述低压器件的有源区电相连。
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