[发明专利]一种带有限流阻变层的场发射阴极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910590994.X | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110189967B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 王小菊;查林宏;祁康成;曹贵川;林祖伦;雷李杨霞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种带有限流阻变层的场发射阴极结构及其制备方法，属于场致电子发射技术领域。本发明通过在场发射阵列阴极中每个阴极发射体与衬底间采用掺杂有金属离子的复合忆阻材料作为阻变层，使得每个阴极发射体下的阻变层由其自身电流变化控制金属离子在阻变层内的迁移进而实现阻变功能正常发射时，处于低阻状态；短路或过流发射时，阻变层切换至高阻状态，并且不同阴极发射体之间互不影响，以此限制单个阴极发射体的最大发射电流、抑制短路或过流发射。本发明提供的场发射限流结构相比现有限流结构较为简单，制备成本低，并且由于该阻变层的存在，在不影响场发射特性的同时有效地改善了场发射阴极发射的稳定性，对现有场发射阴极性能的提升有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 限流 阻变层 发射 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有限流阻变层的场发射阴极结构，包括设置在衬底上由阴极、栅极和绝缘层形成的阴栅组件，其特征在于，各个阴极发射体与衬底间均设置有作为限流结构的阻变层，所述阻变层的材料为金属离子掺杂忆阻材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910590994.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
