[发明专利]一种基于波导结构的温度传感器有效
| 申请号： | 201910591551.2 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110243491B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘黎明;惠裕充;王红航;刘凯;迟锋;张智;易子川;水玲玲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00;G01K5/62 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 竺栋 |
| 地址： | 528402 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于波导结构的温度传感器，包括衬底、由贵金属‑介质‑贵金属构成的波导、谐振腔、热膨胀部、贵金属层构成，波导、谐振腔、热膨胀部、贵金属层位于衬底上，谐振腔为空腔，谐振腔外侧为贵金属材料，谐振腔位于波导一侧，并且与波导分离，热膨胀部位于谐振腔内，贵金属层包覆在热膨胀部外侧，形成了环形谐振腔，环形谐振腔的两侧为贵金属材料。当温度发生变化时，谐振腔的有效折射率发生变化，谐振腔的共振波长发生变化。通过探测共振波长的变化，实现对温度的探测。由于温度的改变导致了谐振腔宽度的变化，所以该发明具有灵敏度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 波导 结构 温度传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于波导结构的温度传感器，其特征在于：包括衬底、由贵金属‑介质‑贵金属构成的波导、谐振腔、热膨胀部、贵金属层构成，波导、谐振腔、热膨胀部、贵金属层位于衬底上，所述谐振腔为空腔，谐振腔外侧为贵金属层，谐振腔位于波导一侧，并且与波导分离，热膨胀部位于谐振腔内，贵金属层包覆在热膨胀部外侧。
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