[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910592379.2 申请日: 2019-07-03
公开(公告)号: CN112186045A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 和峰;金锐;刘钺杨;刘江;董少华;温家良;吴军民;潘艳 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868;H01L29/167;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种快恢复二极管及其制作方法,快恢复二极管包括衬底、N+阴极区、P+阳极区、寿命控制掺杂层、P+掺杂层、阳极侧电极和阴极侧电极;P+掺杂层位于寿命控制掺杂层内部,寿命控制掺杂层位于P+阳极区内部;阳极侧电极和阴极侧电极分别位于衬底的正面和背面;P+阳极区位于所述衬底正面且靠近阳极侧电极,N+阴极区位于所述衬底背面且靠近阴极侧电极。本发明降低反向阻断漏电流和正向导通压降,进一步降低了快恢复二极管的损耗,延长了寿命;且通过本发明中的寿命控制掺杂层可以有效改善快恢复二极管的电压温度系数。
搜索关键词: 一种 恢复 二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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