[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910594096.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676165A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | C.舍费尔;A.布雷梅瑟;B.戈勒;R.克恩;M.皮辛;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。根据本文描述的方法的实施例，提供了碳化硅衬底(700)，其包括多个器件区域(650)。可以在碳化硅衬底(700)的前侧处提供前侧金属化(610)。该方法还可以包括在碳化硅衬底(700)的后侧处提供辅助结构(800)。辅助结构(800)包括多个横向分离的金属部分(810)。每个金属部分(810)与器件区域(650)之一接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 半导体器件 辅助结构 金属 多个器件 横向分离 器件区域 金属化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n提供具有多个器件区域(650)的碳化硅衬底(700)；/n在碳化硅衬底(700)的前侧处提供前侧金属化(610)；和/n在碳化硅衬底(700)的后侧处提供辅助结构(800)，其中辅助结构(800)包括多个横向分离的金属部分(810)，并且其中每个金属部分(810)与器件区域(650)之一接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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