[发明专利]光电探测器在审
| 申请号： | 201910594827.2 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110931578A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 罗文勋;徐英杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/107 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种光电探测器。光电探测器包括设置在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱。在半导体衬底中在第一阱的一侧上设置有具有第二掺杂类型的第二阱，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。在半导体衬底中设置有具有第二掺杂类型的第一经掺杂埋入区，其中第一经掺杂埋入区在第一阱及第二阱之下在横向上延伸穿过半导体衬底。在半导体衬底中在垂直方向上在第一经掺杂埋入区与第一阱之间设置有具有第二掺杂类型的第二经掺杂埋入区，其中第二经掺杂埋入区接触第一阱，使得沿第二经掺杂埋入区及第一阱存在光电探测器p‑n结。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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