[发明专利]一种MoTe2-x

摘要

本发明公开了一种MoTe2‑xOx/MoTe2异质结忆阻器及其制备方法，属于半导体器件领域。包括水平忆阻器和垂直忆阻器：水平忆阻器是在基底上表面有MoTe2膜，MoTe2薄膜表面有至少一对金属电极，其中未被金属电极覆盖的MoTe2膜表面部分氧化成MoTe2‑xOx，形成MoTe2‑xOx/MoTe2异质结，或者MoTe2‑xOx层位于MoTe2层表面构成异质结，金属电极位于异质结上表面；垂直忆阻器是一种“三明治”结构，在底部的导电电极层上有MoTe2薄膜，MoTe2薄膜表面部分氧化成MoTe2‑xOx，形成MoTe2‑xOx/MoTe2异质结，金属电极位于MoTe2‑xOx/MoTe2异质结上表面；所述x的取值范围为0x2。本发明中MoTe2‑xOx/MoTe2异质结的忆阻器，表现出良好的“8”字形的忆阻性能，至少可以稳定循环3000圈。

主权项

1.一种MoTe_2‑xO_x/MoTe₂异质结水平忆阻器，其特征在于，所述水平忆阻器包括基底层、MoTe₂层、MoTe_2‑xO_x层和金属电极对，所述x的取值范围为0<x<2；所述MoTe₂层位于所述基底层上表面；所述MoTe_2‑xO_x层位于所述MoTe₂层上表面；所述MoTe₂层和所述MoTe_2‑xO_x层构成异质结；所述金属电极对与所述MoTe_2‑xO_x层连接；所述金属电极对至少为一对金属电极，且各个金属电极之间不接触。