[发明专利]相变化记忆体结构在审
| 申请号： | 201910599812.5 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110690344A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体结构包括以下各项。基板。在基板上设置的底部电极。在底部电极上设置的绝缘层，绝缘层具有在绝缘层中定义的通孔。在通孔中设置的加热器。在加热器上设置的相变材料层。在相变材料层上设置的选择器层。在通孔上设置的中间层。此外，金属层设置在选择器层上。金属层宽于相变材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 相变材料层 通孔 加热器 底部电极 金属层 选择器 基板 相变化记忆体 中间层 | ||
【主权项】：
1.一种相变化记忆体结构，其特征在于，包含：/n一基板；/n一底部电极，设置在该基板上；/n一绝缘层，设置在该底部电极上，该绝缘层具有在该绝缘层中定义的一通孔；/n一加热器，设置在该通孔中；/n一相变材料层，设置在该加热器上；/n一选择器层，设置在该相变材料层上；/n一中间层，在该通孔上；以及/n一金属层，设置在该选择器层上。/n
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