[发明专利]一种具有快速启动和高PSRR的带隙基准源有效

专利信息
申请号: 201910600483.1 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN110262622B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 奚冬杰;徐晴昊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种具有快速启动和高PSRR的带隙基准源,属于集成电路技术领域。所述具有快速启动和高PSRR的带隙基准源包括带隙基准源主环路,用于产生基准电压VREF;前馈噪声消除模块,用于降低电源噪声在中频段对基准电压VREF的影响;输出阻抗增强模块,用于提高基准电压VREF在低频段的PSRR特性;高频滤波模块,用于提高基准电压VREF在高频段的PSRR特性。在不增加带隙基准源启动时间或降低输出基准电压精度的情况下,大幅提升了带隙基准源在全频段内的噪声和PSRR特性。输出阻抗增强模块可提高低频段PSRR特性,前馈噪声消除模块可降低电源噪声在中频段对基准电压VREF的影响,高频滤波模块可在不增加启动时间的情况下提升高频段PSRR特性。
搜索关键词: 一种 具有 快速 启动 psrr 基准
【主权项】:
1.一种具有快速启动和高PSRR的带隙基准源,包括带隙基准源主环路,用于产生基准电压VREF;所述带隙基准源主环路包括:PMOS管MP1和MP2、三极管Q1和Q2、电阻R1~R4和运算放大器A0;其中,所述电阻R1的一端接地,另一端接所述运算放大器A0的负输入端;所述电阻R3的一端接地,另一端接所述运算放大器A0的正输入端;所述三极管Q1和Q2的集电极和基极均接地,所述三极管Q1的发射极接所述运算放大器A0的负输入端,所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R2接所述运算放大器A0的正输入端;所述PMOS管MP1和MP2的栅端均接所述运算放大器A0的输出端,源端均接电源VDD;所述电阻R4的一端接地,另一端接输出端口VREF;其特征在于,所述具有快速启动和高PSRR的带隙基准源还包括:前馈噪声消除模块,降低电源噪声在中频段对基准电压VREF的影响;输出阻抗增强模块,提高基准电压VREF在低频段的PSRR特性;高频滤波模块,提高基准电压VREF在高频段的PSRR特性。
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