[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910601550.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112174086A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王红超;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B06B1/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。本发明中，上述半导体器件的制作方法包括：在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料；在所述牺牲层上形成结构层；释放所述牺牲层，形成所述半导体器件，使得即使在衬底的表面不平整时，也不会影响衬底表面上形成的牺牲层的平整度，牺牲层的平整度较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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