[发明专利]双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明涉及的一种双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本发明有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。

主权项

1.一种双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的正面和背面均设有第一非晶硅本征层（2）；其特征在于：所述硅衬底（1）和第一非晶硅本征层（2）之间设有第二非晶硅本征层（6），所述第二非晶硅本征层（6）采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层（2）的外侧设有非晶硅掺杂层（3），所述非晶硅掺杂层（3）的外侧设有TCO导电膜（4），所述TCO导电膜（4）的外侧设有若干Ag电极（5）。