[发明专利]集成组合件以及形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 201910602219.1 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690222A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 库纳尔·R·帕雷克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L23/528;H01L21/8246;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及集成组合件以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有导电结构的集成组合件，所述导电结构包含在含金属材料上方的半导体材料。交替的导电层级及绝缘层级的堆叠位于所述导电结构上方。分区延伸穿过所述堆叠。所述分区具有壁区域，且具有两个或多于两个壁区域相交的拐角区域。所述导电结构包含直接在所述拐角区域下方延伸的第一部分，且包含直接在所述壁区域下方且并非直接在所述拐角区域下方的第二部分。所述第一部分具有第一厚度的所述半导体材料，且所述第二部分具有第二厚度的所述半导体材料。所述第一厚度大于所述第二厚度。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成组合件 导电结构 半导体材料 拐角区域 层级 堆叠 分区 含金属材料 延伸穿过 壁区域 交替的 申请案 所述壁 导电 个壁 绝缘 相交 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种集成组合件，其包括：/n导电结构，其包括在含金属材料上方的半导体材料；/n交替的导电层级及绝缘层级的堆叠，其在所述导电结构上方；/n分区，其延伸穿过所述堆叠并直接接触所述导电结构的顶部；所述分区包括壁区域，且包括两个或多于两个壁区域相交的拐角区域；及/n所述导电结构包括直接在所述拐角区域下方延伸的第一部分，且包括直接在所述壁区域下方且不直接在所述拐角区域下方的第二部分；所述第一部分包括第一厚度的所述半导体材料，且所述第二部分包括第二厚度的所述半导体材料；所述第一厚度大于所述第二厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
