[发明专利]无机亚纳米线偏光薄膜及其应用在审
| 申请号： | 201910602870.9 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110426770A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王训;张思敏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了无机亚纳米线偏光薄膜及其应用。所述偏光薄膜是由0.8～1nm的无机亚纳米线有序排列形成的，不含高分子和基底，其中，所述无机亚纳米线包括选自氧化钒亚纳米线、羟基氧化钆亚纳米线和多酸亚纳米线中的至少一种。该无机亚纳米线偏光薄膜不仅柔性好且性能稳定，不会因为高分子老化而导致偏光性能下降或丧失，而且能够对紫外光进行偏振，其中羟基氧化钆亚纳米线薄膜对可见光的透光性更是高达90％，可以作为偏光片广泛应用于偏光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 亚纳米 薄膜 线偏光 氧化钆 羟基 应用 可见光 偏光薄膜 偏光器件 性能下降 紫外光 偏光片 透光性 自氧化 多酸 基底 偏光 偏振 老化 | ||
【主权项】：
1.一种无机亚纳米线偏光薄膜，其特征在于，所述偏光薄膜是由0.8～1nm的无机亚纳米线有序排列形成的，不含高分子和基底，其中，所述无机亚纳米线包括选自氧化钒亚纳米线、羟基氧化钆亚纳米线和多酸亚纳米线中的至少一种。
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