[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201910603177.3 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690276A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | A.P-S.谢;P.C.布兰特;H.许斯肯;V.拉皮杜斯;M.普法芬莱纳;F.D.普菲尔施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括半导体衬底，其具有有源区和半导体衬底的有源区与侧边缘之间的边缘终止区。多个非金属电极在半导体衬底的前侧上在边缘终止区中延伸。非金属电极包括至少三个彼此间隔开的非金属电极，其中非金属电极之一是具有内边缘的内非金属电极并且非金属电极中的另一个是具有外边缘的外非金属电极，其中内非金属电极的内边缘与大部分非金属电极的外边缘之间的最短距离定义为距离p。每个非金属电极通过至少两个相应的金属塞子电连接到半导体衬底的相应掺杂区，每个金属塞子延伸穿过形成在电绝缘底层中的相应第一开口，其中不同非金属电极的任何两个金属塞子之间的最短距离d大于距离p。 | ||
| 搜索关键词： | 非金属电极 衬底 半导体 金属塞子 边缘终止区 最短距离 内边缘 外边缘 源区 功率半导体器件 延伸穿过 侧边缘 掺杂区 电绝缘 电连接 开口 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：/n半导体衬底（110），包括限定半导体器件（100）的有源区（103）的中央区域和半导体衬底（110）的中央区域与侧边缘（105）之间的外围区域，外围区域限定半导体器件（100）的边缘终止区（104）；/n多个非金属电极（120），在半导体衬底（110）的前侧（111）上在边缘终止区（104）中延伸，多个非金属电极（120）包括彼此间隔开的至少三个非金属电极（120），其中非金属电极（120）之一是具有内边缘的内非金属电极（121）并且非金属电极（120）中的另一个是具有外边缘的外非金属电极（124），其中内非金属电极（121）的内边缘与大部分非金属电极（124）的外边缘之间的最短距离被定义为距离p；/n电绝缘底层（130），被布置在半导体衬底（110）和多个非金属电极（120）之间；/n非金属电极（120，121，122，123，124）中的每个通过每个延伸穿过形成在电绝缘底层（130）中的相应第一开口（131）的至少两个相应的金属塞子（140，141，142，143，144）电连接到半导体衬底（110）的相应掺杂区（160，161，162，163，164），其中不同的非金属电极（120，121，122，123，124）的金属塞子（141，142）中的任何两个之间的最短距离d大于距离p；和/n电绝缘覆盖层（133），其在多个非金属电极（120，121，122）的上表面上并与之接触。/n
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