[发明专利]一种可拼接红外微桥结构电阻矩阵有效
申请号: | 201910603232.9 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110323240B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 王继岷;蒋向东;白家铭;曾一雄;郭瑞康;张亚楠 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于红外动态场景仿真领域,具体提供一种红外微桥结构电阻矩阵及其制备方法,本发明在mini‑LED工艺及倒装mini‑LED工艺的基础上,使用微桥结构电阻、IC驱动和载体制备微桥结构电阻矩阵,实现了大规模微桥结构电阻阵列,其规模不少于640×640,且制备工艺简单、制备成本低;有效解决了现有红外景象生成器不能制成大面积、占空比低和造价昂贵等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 拼接 红外 结构 电阻 矩阵 | ||
【主权项】:
1.一种可拼接红外微桥结构电阻矩阵,包括:载体(1‑1)、IC驱动(1‑4)及若干个微桥电阻矩阵单元;所述IC驱动(1‑4)设置在载体(1‑1)下表面;其特征在于,所述若干个微桥电阻矩阵单元呈矩阵排布于载体(1‑1)上表面,每个微桥电阻矩阵单元通过金属引出线(1‑2)悬空固定于载体(1‑1)上表面;所述微桥电阻矩阵单元由从下往上依次层叠的介电薄膜(1‑5)、电阻薄膜(1‑3)与金属电极(1‑6)构成,所述金属电极(1‑6)通过金属引出线(1‑2)与载体(1‑1)保持电气导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的