[发明专利]发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板有效
申请号: | 201910604664.1 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110416122B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈柏良;林永富 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 徐丽 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光元件的转移方法包括:提供多个发光元件,每一发光元件设置有一第一磁性材料层;提供第一电磁平板,使第一电磁平板磁性吸附多个发光元件;提供一接收基板,接收基板包括基底、第二磁性材料层、结合层,结合层定义有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个发光元件,基底的一侧设置有第二电磁平板;使多个发光元件和多个接收区域一一对准;以及对第二电磁平板通电,对第一电磁平板断电,使每一发光元件对应转移至接收基板的接收区域。还提供一种基板、一种显示面板及一种显示面板的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 转移 方法 显示 面板 及其 制备 基板 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件的转移方法,其包括以下步骤:提供一承载基板,其一表面上设置有多个发光元件,每一所述发光元件远离所述承载基板的一端设置有一第一磁性材料层;提供一第一电磁平板,所述第一电磁平板上设置有多个吸附位置,对所述第一电磁平板通电,以使每一所述吸附位置磁性吸附来自所述承载基板的一个所述发光元件;提供一接收基板,所述接收基板包括基底、设于所述基底一侧的第二磁性材料层、设于所述第二磁性材料层远离所述基底的一侧的结合层,所述结合层定义有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个所述发光元件,所述基底远离所述第二磁性材料层的一侧设置有一第二电磁平板;将所述第一电磁平板的磁性吸附有多个所述发光元件的表面与所述接收基板的设置有多个所述接收区域的表面对置,以使多个所述发光元件和多个所述接收区域为一一对准的;以及对所述第二电磁平板通电,以使每一所述发光元件的第一磁性材料层和所述第二磁性材料层之间形成磁力,对所述第一电磁平板断电,以使每一所述发光元件在自身重力和所述磁力的作用下脱离所述第一电磁平板,并对应转移至所述接收基板的所述接收区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造