[发明专利]一种具有通孔的平板电容结构、制造方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910604702.3 申请日: 2019-07-05
公开(公告)号: CN110299252A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 于中尧;方志丹;王启东;武晓萌;杨芳 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01G13/00 分类号: H01G13/00
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种具有通孔的平板电容结构的制造方法,包括:在具有至少一个通孔的平板的上下两个表面上形成可溶性保护层,形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔中;去除可溶性保护层,保留通孔中填充的可溶性材料;在平板的上下两个表面上沉积第一金属层,使平板表面和通孔孔口覆盖第一金属层;去除通孔中填充的可溶性材料。本发明由于可溶性保护层对通孔孔壁的保护作用,在沉积第一金属层时,通孔内不会被金属化,保持绝缘。由于整个流程中未使用光刻机等昂贵设备,成本低、工艺流程简单,易于控制。
搜索关键词: 通孔 保护层 第一金属层 可溶性材料 填充 平板电容结构 沉积 去除 昂贵设备 电子设备 平板表面 通孔孔壁 工艺流程 光刻机 金属化 未使用 绝缘 孔口 制造 保留 覆盖
【主权项】:
1.一种具有通孔的平板电容结构的制造方法,其特征在于,包括:在具有至少一个通孔的平板的上下两个表面上形成可溶性保护层,形成所述可溶性保护层的可溶性材料同时填充于所述通孔中;去除所述可溶性保护层,保留所述通孔中填充的所述可溶性材料;在所述平板的上下两个表面上沉积第一金属层,使所述平板表面和所述通孔孔口覆盖所述第一金属层;去除所述通孔中填充的所述可溶性材料。
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