[发明专利]具有缓存的In-Line ECC模块有效
| 申请号： | 201910604755.5 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110310693B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王时;林岗 | 申请（专利权）人： | 上海忆芯实业有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 陈变花 |
| 地址： | 200120 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种为存储设备提供ECC的方法，包括：响应于接收到写命令，若写命令要写入的数据属于第一数据单元的地址范围，则将写命令要写入的数据写入单拍缓存；为单拍缓存存储的数据单元计算校验数据，并得到同第一数据单元对应的第一ECC单元；根据第一数据单元的地址计算第一ECC单元的地址；生成指示第一ECC单元的地址的写命令，以将第一ECC单元写入DRAM。以使用相对便宜的普通的存储器，并同时提供ECC功能；以及降低访问校验数据为存储器访问带来带宽与延迟方面的额外开销，以保证存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓存 in line ecc 模块 | ||
【主权项】：
1.一种为存储设备提供ECC的方法，其特征在于，包括：响应于接收到写命令，若写命令要写入的数据属于第一数据单元的地址范围，则将写命令要写入的数据写入单拍缓存；为单拍缓存存储的数据单元计算校验数据，并得到同第一数据单元对应的第一ECC单元；根据第一数据单元的地址计算第一ECC单元的地址；生成指示第一ECC单元的地址的写命令，以将第一ECC单元写入DRAM。
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