[发明专利]堆叠图像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201910606181.5 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110233159A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 高翔;熊望明 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种堆叠图像传感器及其制备方法,堆叠图像传感器包括:光电二极管晶圆,光电二极管晶圆内形成有光电二极管;逻辑晶圆,键合于光电二极管晶圆上,逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构;硅通孔互连结构,位于光电二极管晶圆及所述逻辑晶圆内,且将光电二极管与图像传感器电路结构电连接。本发明的堆叠图像传感器通过将光电二极管与图像传感器电路结构分别形成于不同的晶圆中,可以增大光电二极管的受光面积,同时可以避免光电二极管产生的电子对图像传感器电路结构的信号产生干扰,还可以避免对堆叠图像传感器的满阱容量造成影响,避免串扰及图像滞后。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 晶圆 堆叠图像传感器 图像传感器电路 制备 互连结构 信号产生 电连接 硅通孔 串扰 键合 受光 图像 滞后 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠图像传感器,其特征在于,包括:光电二极管晶圆,所述光电二极管晶圆内形成有光电二极管;逻辑晶圆,键合于所述光电二极管晶圆上,所述逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构;硅通孔互连结构,位于所述光电二极管晶圆及所述逻辑晶圆内,且将所述光电二极管与所述图像传感器电路结构电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的