[发明专利]苯并咪唑类n-型掺杂剂及其在有机电致发光器件中的应用在审
| 申请号： | 201910607464.1 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110343073A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 段炼;宾正杨;刘嵩;谢静;赵菲 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | C07D235/02 | 分类号： | C07D235/02;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种苯并咪唑类n‑型掺杂剂，具有式(1)所示结构的含苯并咪唑卤素阴离子的有机离子盐、式(2)所示结构的中性n‑型掺杂材料或式(3)所示结构的二聚体类n‑型掺杂材料，其用作电子传输材料的掺杂剂时可增强电子注入，提高薄膜电子迁移率和载流子浓度，增加器件电流密度，提高器件效率和稳定性。 |
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| 搜索关键词： | 式( 1 ) 式( 2 ) 掺杂剂 苯并咪唑类 掺杂材料 载流子 有机电致发光器件 电子传输材料 卤素阴离子 有机离子盐 薄膜电子 苯并咪唑 电子注入 器件效率 二聚体 迁移率 应用 | ||
【主权项】：
1.一种苯并咪唑类n‑型掺杂剂，其特征在于，具有式(1)所示结构的含苯并咪唑卤素阴离子的有机离子盐、式(2)所示结构的中性n‑型掺杂材料或式(3)所示结构的二聚体类n‑型掺杂材料：![]()
其中：BI具有式(5)所示的结构，![]()
R5～R10相同或不同，分别独立地选自氢、甲氧基、二甲氨基、取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的联咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的联咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基为C1‑C6的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基或苯基中一种或其中的几种；Ar为2‑甲氧基苯、2,6‑二甲氧基苯或2,4,6‑三甲氧基苯；X为卤素。
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