[发明专利]一种去除硅片油污的方法有效
申请号: | 201910608069.5 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110416064B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 樊选胜;宛正;缪云展;曹磊 | 申请(专利权)人: | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 224400 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种去除硅片油污的方法,首先对硅片进行烘烤处理,能够通过高温烘烤将主要油污炭化,油污的主要成分就是有机物,有机物在高温通氧的情况下会发会发生氧化反应,产生二氧化碳、水。碱性清洗剂溶液能够与残留在硅片表面的金属粉末反应并将其溶解,然后用水清洗太阳能电池硅片,进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末。双氧水溶液能够将残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂氧化并将其溶解;然后用水清洗太阳能电池硅片,进而能够去除残留在太阳能电池硅片表面的有机溶剂。然后在用水清洗、烘干得较干净的太阳能电池硅片,硅片油污被有效去除、硅片无需降级处理,有效提高了硅片生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 去除 硅片 油污 方法 | ||
【主权项】:
1.一种去除硅片油污的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、对太阳能电池硅片进行高温烘烤处理;S2、将烘烤处理后的所述硅片置于碱性清洗剂溶液槽中进行清洗,得到碱性清洗的所述硅片;S3、将步骤S2所得的碱性清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗;S4、将步骤S3清洗后的所述硅片置于双氧水溶液槽中进行清洗;S5、将步骤S4中经过双氧水溶液清洗的所述硅片放入水洗槽中进行清洗,S6、将硅片从水洗槽中取出,进行烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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