[发明专利]一种基于微纳光栅阵列及微纳F-P腔结构的双波长滤波器件有效
| 申请号： | 201910609463.0 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110426784B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李子乐;陈奎先;邓娟;李嘉鑫;梁聪玲;郑国兴 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/293;G02B1/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吴楚 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于微纳光栅阵列及微纳F‑P腔结构的双波长滤波器件，包括底层衬底、微纳F‑P腔、中间衔接层及光栅阵列。基于F‑P腔的波长选择原理可设计具有滤波作用的微纳F‑P腔结构；基于光栅的色散效应可以设计具备特定衍射角的波长。微纳F‑P腔结构工作在白光波段下，具有极窄的光谱响应和波长选择性，叠加光栅阵列，可实现双波长的滤波功能。这种叠层超表面具备超微的尺寸参数，可广泛的应用于信息加密、全息显示等领域，并且加工简单、设计灵活、结构紧凑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光栅 阵列 结构 波长 滤波 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于微纳光栅阵列及微纳F‑P腔结构的双波长滤波器件，其特征在于：包括上层微纳光栅阵列及下层微纳F‑P腔，所述F‑P腔置于底层衬底上，通过中间衔接层与光栅阵列相衔接，所述滤波器件的单元结构由下往上包括：底层衬底、F‑P腔下银层、F‑P腔介质层、F‑P腔上银层、中间衔接层、光栅阵列，此处微纳尺度是指纳米及微米量级。
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