[发明专利]空间机构用高速步进电机驱动电路及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201910609988.4 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN110474578A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 王涛;姚惟琳;孙海林;侯超;李浩;杨明亮;郑悦;李宇 申请(专利权)人: 上海宇航系统工程研究所
主分类号: H02P8/12 分类号: H02P8/12;H02P8/14;H02P8/04
代理公司: 31107 上海航天局专利中心 代理人: 王海涛<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种空间机构用高速步进电机驱动电路,四片N沟道MOSFET组成单相绕道驱动H桥电路,每个所述MOSFET直接控制所述H桥电路开断状态。本发明提供一种空间机构用高速步进电机驱动电路的控制方法。本发明提供的空间机构用高速步进电机驱动电路,在驱动控制电路方面采用了分立式架构,达到了良好的散热效应。采用的分立器件均具有宇航记等级,能很好满足空间环境。本发明提供的空间机构用高速步进电机驱动电路的控制方法,采取了合理的组合逻辑,通过合理的开关逻辑、高频的驱动波形、正弦曲线加速方式保证了电机绕组电流的快速变化,实现了步进电机高速运动,同时,通过设置死区时间保证了在高速运动时的可靠安全性。
搜索关键词: 高速步进电机 空间机构 驱动电路 高速运动 电机绕组电流 驱动控制电路 可靠安全性 步进电机 分立器件 加速方式 开关逻辑 空间环境 快速变化 驱动波形 散热效应 正弦曲线 组合逻辑 开断 死区 绕道 宇航 架构 保证 驱动
【主权项】:
1.一种空间机构用高速步进电机驱动电路,其特征在于,四片N沟道MOSFET组成单相绕道驱动H桥电路,每个所述MOSFET直接控制所述H桥电路开断状态。/n
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