[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201910610004.4 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110282975B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘猛 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锗靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硒化锗靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。
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