[发明专利]适用于大功率SiCMOSFET的保护电路有效
| 申请号： | 201910610038.3 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110492439B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李艳伟;赵晨凯;王亮亮;梁海刚;王翠云;俞晓丽 | 申请（专利权）人： | 中车永济电机有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 044500 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiCMOSFET的保护电路，具体为适用于大功率SiCMOSFET的保护电路。解决现有大功率器件保护电路短路故障响应速度慢，过压抑制响应速度慢的问题。该保护电路包括短路保护电路和过压抑制保护电路；短路保护电路包括由多个电阻串联而成的电阻支路，电阻支路的一端与SiCMOSFET的D极连接、另一端与电容C1的一端连接并把该端作为短路信号输出端VDS，电容C1的另一端与－4V电源连接；过压抑制保护电路包括由多个TVS管单向串联而成的TVS管支路，TVS管支路中的每个TVS管两端并联一个电容，TVS管支路的负极端与SiCMOSFET的D极连接，TVS管支路的正极端作为抑制过压信号输出端ACL。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 大功率 sicmosfet 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种适用于大功率SiCMOSFET的保护电路，包括短路保护电路和过压抑制保护电路；其特征在于，短路保护电路包括由多个电阻串联而成的电阻支路，电阻支路的一端与SiCMOSFET的D极连接、另一端与电容C1的一端连接并把该端作为向SiCMOSFET驱动器控制电路提供短路信号的短路信号输出端VDS，电容C1的另一端与－4V电源连接；过压抑制保护电路包括由多个TVS管单向串联而成的TVS管支路，TVS管支路中的每个TVS管两端并联一个电容，TVS管支路的负极端与SiCMOSFET的D极连接，TVS管支路的正极端作为向SiCMOSFET驱动器控制电路反馈抑制过压信号的抑制过压信号输出端ACL。/n
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