[发明专利]一种亲锂-亲硫位共掺杂二维层状石墨化多孔碳材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910611999.6 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN112201785B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 李驰麟;伍卿平;周学俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M4/62;H01M4/36;H01M10/052;C01B32/20 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种亲锂‑亲硫位共掺杂二维层状石墨化多孔碳材料及其制备方法和应用,所述亲锂‑亲硫位共掺杂二维层状石墨化多孔碳材料具有亲锂位掺杂元素和亲硫位掺杂元素共掺杂;所述亲锂位掺杂元素为氮、氧、硫原子中的至少一种,所述亲硫位掺杂元素为铁、钴、镍金属原子中的至少一种。 | ||
搜索关键词: | 一种 亲硫位共 掺杂 二维 层状 石墨 多孔 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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