[发明专利]一种基于天然有机材料的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910612588.9 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110323333B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 葛军;叶炜勇;刘焕宇;赵宣博;黄昌侨;李冬原 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于天然有机材料的忆阻器及其制备方法，其包括，依次层叠的衬底、底电极、阻变功能层以及顶电极，所述阻变功能层包括化学修饰后的卡拉胶薄膜以及包覆于所述化学修饰后的卡拉胶薄膜中的纳米金属颗粒，所述纳米银颗粒与所述化学修饰后的卡拉胶的质量比为1％‑4％。该阻变功能层采用化学修饰后的天然有机材料ι型卡拉胶薄膜和以及包覆于薄膜内部的纳米金属颗粒，该阻变功能层具有更高的离子电导率，用于忆阻器件中实现了更加稳定的电阻翻转行为，卡拉胶薄膜中的银纳米颗粒增强了神经突触的可塑性。该忆阻器成本低廉、生物相容性好，并且具有可降解、柔性等优点。该忆阻器可应用于可植入芯片、电子皮肤和生物诊断和治疗等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 天然 有机 材料 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于天然有机材料的忆阻器的制备方法，其包括以下步骤：在衬底上沉积底电极；在所述底电极上沉积阻变功能层；在所述阻变功能层上沉积顶电极；其特征在于，所述阻变功能层是包覆有纳米金属颗粒的化学修饰后的卡拉胶薄膜。
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