[发明专利]在半导体晶圆上形成薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910614302.0 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110331386A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 罗兴安;胡淼龙;张春雷;蒋志超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/26;C23C16/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成薄膜时，半导体晶圆上的温度分布；根据温度分布加热半导体晶圆，而在半导体晶圆上形成多个温度区；以及在半导体晶圆上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 薄膜 温度分布 加热半导体 参数类型 温度区 晶圆 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成所述薄膜时，所述半导体晶圆上的温度分布；根据所述温度分布加热所述半导体晶圆，而在所述半导体晶圆上形成多个温度区；以及在所述半导体晶圆上形成薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
