[发明专利]一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种新型三元化合物InGeTe₃单晶的二维超薄材料及其制备方法，首先将In、Ge以及Te三种纯元素按照化学计量比进行混合后封入石英管，利用真空封管烧结技术制得InGeTe₃单晶，然后用思高胶带反复撕粘至思高胶带表面无明显起伏，再用热缓释胶带作为转移介质，将单晶转移到其上，再将热缓释胶带上的InGeTe₃单晶转移到硅片上，最后利用思高胶带对硅片上的InGeTe₃单晶反复撕粘多次，使其减薄，以得到InGeTe₃单晶的二维超薄材料。本发明根据热缓释胶带在一定温度下黏性消失的特性，可实现高效率，高产量的转移，保证了转移到硅片上的单晶数量和尺寸适中，为后续在硅片上的再次剥离以得到产率相对较高的超薄少层二维材料提供了保障。

主权项

1.一种新型三元化合物InGeTe₃单晶的二维超薄材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将In、Ge以及Te三种纯元素按照化学计量比进行混合后封入石英管，利用真空封管烧结技术制得InGeTe₃单晶，步骤2：将合成的InGeTe₃单晶用思高胶带反复撕粘至思高胶带表面无明显起伏，步骤3：取热缓释胶带作为转移介质，将思高胶带上的InGeTe₃单晶转移到热缓释胶带上，步骤4：将转移介质热缓释胶带上的InGeTe₃单晶转移到硅片上，步骤5：再次利用思高胶带对硅片上的InGeTe₃单晶反复撕粘多次，使InGeTe₃单晶再次减薄，以得到InGeTe₃单晶的二维超薄材料。